Với việc MediaTek Dimensity 9400 đã chính thức ra mắt, mọi sự chú ý hiện đang dồn về sản phẩm sắp tới của Qualcomm, Snapdragon 8 Elite. Những tin đồn cho thấy hiệu suất của Snapdragon 8 Elite rất ấn tượng, nhờ vào các lõi xử lý chính vượt mức tốc độ 4GHz. Tuy nhiên, sức mạnh khủng khiếp này từ Qualcomm có thể đi kèm với một cái giá đáng kể – cụ thể là vấn đề nhiệt độ và thời lượng pin.
Trong vài tuần qua, thông tin về các phiên bản của Snapdragon 8 Elite đã lần lượt xuất hiện. Phiên bản tiêu chuẩn dường như có tần số cơ bản là 2.78GHz và tối đa 4.09GHz. Trong khi đó, Samsung được cho là đang thử nghiệm hai phiên bản ép xung cho dòng Galaxy S25 của họ, với tốc độ đạt 2.90GHz/4.19GHz và 3.53GHz/4.47GHz — một hiệu suất ngang tầm máy tính để bàn cho một chiếc điện thoại.
Tuy nhiên, những con số này có thể gây hại nhiều hơn lợi nếu tin đồn mới đây là đúng. Theo thông tin rò rỉ, ngay cả phiên bản tiêu chuẩn của chip Snapdragon 8 Elite cũng có thể gặp khó khăn trong việc quản lý nhiệt độ và hiệu suất pin. Chip này được cho là tiêu thụ trên 20W điện và có thể đạt nhiệt độ lên đến 98.5°C ngay cả trong điều kiện sử dụng thông thường.
Điều đáng lo ngại hơn là rò rỉ này được cho là từ một phiên bản “chính thức” của chip – dù đã xuất hiện cách đây ba tháng. Việc tiêu thụ điện cao có thể giải thích tại sao các hãng điện thoại dự kiến sẽ trang bị pin lớn hơn 6.000mAh cho các flagship sử dụng chip này.
Tuy nhiên, người dùng vẫn có thể đặt kỳ vọng vào Snapdragon 8 Elite bởi ba tháng là một khoảng thời gian phát triển đáng kể, và Qualcomm có thể đã tiến bộ lớn trong việc tối ưu hóa chip. Hy vọng rằng họ đã giải quyết được các vấn đề về nhiệt độ và tiêu thụ điện trước khi ra mắt chính thức vào cuối tháng này.
Chipset Snapdragon 8 Elite sẽ chính thức được công bố vào ngày 21/10 tới tại Mỹ.
Nguồn tin: https://genk.vn/chip-snapdragon-8-elite-8-gen-4-toa-nhiet-toi-985-do-c-20241013190855671.chn